制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:370 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:52.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:UltraMOS

封装:Tube

产品:Power MOSFETs

系列:CDM

晶体管类型:1 N-Channel

类型:LR Power MOSFET

商标:Central Semiconductor

下降时间:42.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:44.8 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:171.2 ns

典型接通延迟时间:21.1 ns